龙滩水电站20 t/25 t缆索起重机结构及特点

龙滩水电站20t／25t缆索起重机（以下简称缆机）跨距950m、起升高度260m、满载起升速度125m／min（空载200m／min）、小车牵引速度450m／min，采用了固定张开式承马、双列小车、双绳槽牵引机构、链条式排绳装置、数字式直流调速及交流变频调速装置等先进技术。通过使用改性尼龙材料的滑轮及钢丝绳缠绕形式，起升及牵引钢丝绳寿命比以前国产缆机的提高了一倍多；在额定起升及牵引速度下长期工作，设备完好率达98％以上，是目前在用国产缆机中跨距最大、塔架高度最高、无备用遥控通讯系统的缆机。文章主要介绍了该机的结构、主要技术特点及技术参数等，通过在工地运行使用，检验了该机的整体性能，实践证明该机的设计是成功的。     

三次谐波定子接地保护动作特性及整定计算分析

发电机功率的变化会对三次谐波电压型定子接地保护的动作特性及整定计算产生影响;当发电机与升压变之间有断路器时，机组并列前后 UN3/ US3 的变化也会对三次谐波电压型定子接地保护的动作特性及整定计算产生影响。对于中性点经消弧线圈接地的发电机，文中利用 UN3- US3 坐标对此进行了分析。     

BST薄膜电容器的制备及其调谐性能研究

利用氩离子束溅射技术在SiO2/Si衬底上淀积Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,该薄膜在氧气气氛中500℃退火处理30 min,然后利用集成电路平面工艺将薄膜制作成叉指结构电容器。X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明,BST薄膜具有钙钛矿结构,薄膜表面光滑,晶粒致密且分布均匀。调谐性能测试结果表明,该电容器具有较高的电容调谐率,在室温100 kHz频率下,对于2 V的直流偏压,其调谐率和损耗因子分别为62%和0.02。这说明具有此结构的BST薄膜电容器可望应用于微波集成电路。     

方波扫描路径确定声源声功率误差特性分析

改进了矩形测量面方波扫描路径测量声功率的误差模型 ,以单极子、偶极子及四极子声源为例 ,给出了扫描方向、测量面离声源的距离及扫描线的密度的选取对理论误差的分布图形。分析结果表明 :对选定的测量面 ,在扫描线密度小的情况下 ,通过调整声源离测量面的距离 ,可以在声源近处找到一个最优点或较优点 ,使理论误差为零或很小 ;在绝大多数情况下 ,沿测量面长边扫描误差比沿短边扫描小。     

凝土温度特性参数反分析及其应用

建立混凝土温度场材料特性参数反演分析模型,并用有限单元法仿真计算和可变容差法编制了优化反演程序。数值算例表明该算法是稳定的,收敛速度较快,并给出具体的在建工程实例的应用情况。通过现场温度观测值,进行优化反演计算得到混凝土温度的有关特性参数,这将成为部分或全部替代仅靠实验室选取参数的行之有效的途径之一。     

新型非蒸散消气剂的激活温度和吸气性能的实验研究

对主要成分为Zr和Co的新型非蒸散消气剂进行了活化温度及吸气性能的实验研究。实验表明其活化温度为200—250℃，对N2，H2等活性气体有很好的抽速，对惰性气体He等无抽速。     

AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管直流特性研究

制备了大尺寸AlGaInP／GaAs SHBT和DHBT，对其直流特性进行了测试，并分析了AlGaInP／GaA。单异质结晶体管(SHBT)和双异质结晶体管(DHBT)的直流特性差异，深入研究了影响AlGaInP／GaAsHBT开启电压(Voffset)的各个因素。结果表明：AlGaInP／GaAsHBT开启电压与外加基极电流密切相关，采用宽发射区可大大降低器件的开启电压。     

长江口北支水道水沙特性分析

从实测资料出发,结合水流数值计算成果,对长江口北支水道的水流、泥沙和含盐度等资料进行分析,得出了北支水道的水沙特性,并分析了水沙变化与河床变化的相互关系.北支水道在1958年南通河段河势控制后,径流分流比逐年下降,并渐趋稳定于3%左右.北支水道受径流影响越来越小,主要受潮流作用.随着水沙特性的逐年变化,北支水道0 m以下槽蓄容量逐年减小,并渐趋稳定,北支上段为逐年淤积最快的区域.由此反过来影响了水沙条件的进一步变化,使北支上段平均潮差增加,北支的会潮点由崇头附近下移至青龙港附近.     

涠洲11-4油藏聚合物驱聚合物性能评价及优选

针对涠洲11-4油藏温度和流体性质特征,通过收集国内外现有高性能抗盐和耐高温聚合物产品,对聚合物溶液的增粘性、稳定性、耐温性、抗盐性和抗剪切特性、阻力系数和残余阻力系数等进行了测试,并引入模糊综合评判方法,借以对不同品质聚合物溶液改善流度比或扩大波及体积能力做出全面和客观评价。实践证明,模糊综合评判是进行聚合物溶液优选的一种简洁和有效方法。通过对实验结果综合分析表明,在初选的几种聚合物中,“法国SNF”在综合评价中性能居优。     

Thickness-dependence of stoichiometry and microstructure characteristics in correlation with conductivity type of CdTe films

CdTe films were prepared by physical vapour deposition on a substrate at room temperature (RT) as well as on a cold (LT) one using low deposition rate. The thickness-dependence of stoichiometry revealed an abrupt decrease in the Cd/Te ratio as the thickness increases. Change of thickness did not affect the type of observed (111) crystallographic texture, only the degree of preferred orientation is enhanced as the film grows. The internal strain was negligible while the crystallite size increased rapidly at small thickness (up to 400 nm), and less thickness dependence was observed with further film growth. However, thickness dependence of lattice parameters showed a minimum and a maximum at approximately 300 nm in the case of RT and LT, respectively. The observed change in conductivity from n- to p-type and its vital correlation with the stoichiometry and structural characteristics were presented. Based on thickness dependence of stoichiometry and lattice parameters as well as the conductivity type, formation and annihilation of lattice defects were considered.